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金属氧化场效应晶体管
中低压 MOSFET
低压 P-ch (-30V ~ -5V)

低压 P-ch (-30V ~ -5V)

P 沟道 MOSFET 采用空穴作为载流子,需要栅极到源极的负电才能导通。因此,它是高边开关的优先选择;而且栅极驱动简单,可降低整体终端成本。

因应消费电子、工业及电机控制、通讯等终端里的低压电池管理系统 / 充电器、防反接保护、负载开关、DC-DC 转换器等诸多应用,1331.c.om.银河游戏 提供以下列表里的低压 P 沟道 MOSFETs (沟槽 / 屏蔽栅型沟槽技术平台) 予电路设计工程师选用。
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